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le mardi 30 novembre à 11 heures

Sylvain Pouliquen
PROMES-CNRS, Université de Perpignan

le mardi 30 novembre à 11 heures Palaiseau (Salle de conférence du LIX)

Etude d’une nouvelle décharge à barrière diélectrique homogène en Ar/NH3/SiH4 à la pression atmosphérique pour le dépôt en continue de SiNx:H sur cellule photovoltaïque

L’objectif de ce travail est de développer une nouvelle source plasma, fonctionnant à la pression atmosphérique, pour réaliser des dépôts de couches minces sur des cellules photovoltaïques. Pour définir son régime, comprendre sa physique et cerner ses conditions d’obtention, cette nouvelle décharge, obtenue dans un mélange SiH4/NH3/Ar, est caractérisée électriquement et optiquement. La densité des métastables de l’argon est également mesurée. Les résultats montrent que la décharge s’amorce par un claquage de Townsend et, qu’au maximum de courant, c’est une décharge sub-luminescente entravée par la distance inter-électrode. L’obtention d’une décharge homogène pour réaliser des dépôts homogènes nécessite par ailleurs l’introduction d’une résistance en série avec la décharge pour faire diminuer rapidement la tension appliquée sur le gaz dès que le courant devient trop important.
Le mélange de gaz a été choisi pour réaliser une couche mince de nitrure de silicium hydrogéné (SiNx:H) antireflet et passivante sur cellule silicium cristallin. Les propriétés chimiques, structurales et optiques de ces dépôts sont déterminées et corrélées aux paramètres du procédé. Le rapport des gaz précurseurs, NH3/SiH4, permet de choisir l’indice de réfraction de la couche antireflet entre 1,8 et 2, indice caractérisé par le rapport N-H/Si-H.


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