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Jeudi 6 novembre 2008 à 11h

Emilie Despiau-Pujo

Gravure des semi-conducteurs III-V par plasmas inductifs chlorés : Simulations atomistiques et modélisation fluide.

Jeudi 6 novembre à 11 heures

CETP Saint-Maur

L’industrie de la microélectronique est à l’origine des progrès considérables réalisés dans les technologies de l’Information et de la Communication depuis plus d’une vingtaine d’années, l’essor de ce secteur résultant d’une forte évolution dans le domaine de la miniaturisation, concernant notamment les techniques de gravure de couches minces.
Les matériaux III-V (GaAs, GaN et alliages) sont largement utilisés pour la réalisation de composants micro-ondes et de composants optoélectroniques, diodes laser ou cellules photovoltaïques. Bien que de nombreux problèmes restent à résoudre, les plasmas RF de type inductif fonctionnant en mélange chloré semblent être les meilleurs candidats pour répondre au défi technologique de la gravure de tels semi-conducteurs.
La compréhension des mécanismes d’interaction plasma-surface étant indispensable pour adapter les procédés de gravure à l’introduction de nouveaux matériaux, nous avons développé des simulations de dynamique moléculaire pour étudier les mécanismes de pulvérisation des matériaux III-V sous l’effet d’un bombardement ionique faiblement énergétique, caractéristique des décharges inductives.
En parallèle, et afin de mieux comprendre la dynamique du plasma, nous travaillons également sur la modélisation fluide 2D d’une décharge inductive chlore/argon, couplant les caractéristiques du plasma à la chimie et au transport des neutres.
La validation des ces études numériques avec un certain nombre de mesures expérimentales sera présentée lors du séminaire.


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